830V高雪崩能力待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8366

PN8366集成待機功耗準諧振原邊控制器及830V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8366為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術提高了效率并清除音頻噪...

500kHz,5A同步整流升壓轉換器--AP2007

AP2007是一款緊湊型，效率高同步升壓轉換器，內置功率MOSFET,在關閉輸出時實現真正關斷功能。AP2007靜態電流僅為70uA(典型值)，空載或輕載時，AP2007為節能的PFM工作模式。當負載大于150mA時，采用500KHz固定頻率PWM工作模式。內部補償的電流控制模式實現快速瞬態響應。

690V高雪崩能力待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN6370M

PN6370M六級能效集成待機功耗準諧振原邊控制器及690V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6370M為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC ）小于30mW。

用于高性能,高精度CC CV原邊反饋交直流轉換器--PN8232

PN8232是一款高精度的恒壓、恒流原邊控制器。用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。PN8232工作在原邊調整模式，可省略光耦和TL431。該芯片提供了的自恢復保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS電阻開/短路保護等。極低的芯片啟動電流能夠滿足的待機功耗標準...

六級能效待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8370M

PN8370M集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電 器、適配器和內置電源。PN8370為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC ） 小于30mW。

非隔離待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8368

PN8368 集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電 器、適配器和內置電源。PN8370為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC ） 小于30mW。

原邊反饋機頂盒開關電源適配器電源芯片-PN8386

PN8386集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力功率MOSFET,用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8386為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。

原邊反饋6級能效充電器驅動芯片-PN8235

PN8235集成待機功耗準諧振原邊控制器及750V智能高壓啟動模塊，外驅功率DMOS，外表Rg可調。PN8235用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN8235為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。

待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器-PN8370

PN8370 5V2.4A/5V2A集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電 器、適配器和內置電源。PN8370為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC ） 小于30mW。

高精度CC/CV原邊反饋交直流轉換器-PN8356

PN8356 5V1A/5V1.2A包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。 PN8356工作在原邊檢測模式，可省略光耦和TL431。

高精度CC CV原邊反饋交直流轉換器-PN8358

PN8358包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。PN8358工作在原邊檢測模式，可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS電阻開/短路保護等。內置啟動電路和極低的芯片工...

12W原邊反饋電源管理芯片-PN8360

PN8360包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。 PN8360工作在原邊檢測模式，可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。

高精度CC/CV原邊反饋交直流轉換器--PN8359

PN8359 5V2.4A/12V1A包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。PN8359工作在原邊檢測和調整模式，可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護...

外圍元器件精簡,高精度CC/CV原邊反饋交直流轉換器--PN8355

PN8355 5V1A包括高精度的恒壓、恒流原邊控制器及功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器和LED照明。PN8355工作在原邊檢測和調整模式，可省略光耦和TL431。該芯片提供的自恢復保護功能，包含逐周期過流保護、過壓保護、開環保護、過溫保護、輸出短路保護和CS開/短路保護等。內置高壓啟...

支持蘋果20W芯片 高性能準諧振交直流轉換芯片--PN8162

PN8162內部集成了準諧振工作模式的電流模式控制器和功率MOSFET，用于高的性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。該芯片提供了較為全和性能良好的保護功能，包括輸出過壓保護、逐周期過流保護、過載保護、軟啟動、輸入欠壓保護功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調制技術和特...

系統迅速啟動、低待機、自供電功能轉換芯片--PN8173

PN8173集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。PN8173內置800V高壓啟動與自供電模塊，實現系統快速啟動、超低待機、自供電功能。該芯片提供了完整的智能化保護功能，包括過流保護，過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8173的降頻調制技...

低待機功耗準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN6710H

PN6710H集成低待機功耗準諧振原邊控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置電源。PN6710H為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小于75mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術音頻噪聲，使得系...

自供電功能交直流轉換芯片--PN8173

PN8173集成PFM控制器及800V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉換開關電源。 PN8173內置800V高壓啟動與自供電模塊，實現系統快速啟動、待機、自供電功能。該芯片提供了完整的智能化保護 功能，包括過流保護，過載保護，欠壓保護，過溫保護。另外PN8173的降頻調制技...

支持CCM模式準諧振原邊反饋交直流轉換器--PN8390

PN8390集成待機功耗準諧振原邊控制器及650V高雪崩能力智能功率 MOSFET，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內置 電源。PN8390為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431，支持CCM和DCM兩種工作模式。內置高壓啟動電路，可實現系統空載待機損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式...

集成待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容交直流轉換器--PN8611

PN8611集成待機功耗原邊控制器、FB下偏電阻和電容、VDD供電二極管、CS電阻及650V高雪崩能力智能功率MOSFET，用于性能高、外圍元器件較簡的充電器、適配器和內置電源。PN8611為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內置高壓啟動電路，可實現芯片空載損耗（230VAC）小于50mW。在恒壓模式...