POWER MOSFET-- 4N60-C
- 內置MOS、高PFC、非隔離led驅動芯片-SD690XS
- SD690XS是一款用于非隔離led驅動的控制芯片,外圍應用采取浮地Buck架構,內置600V高壓功率MOSFET。
- 11A,600V DP MOS功率管--SVS11N60T/F
- SVS11N60T/F N溝道增強高壓功率MOSFET采用士蘭微電子DP MOS技術新平臺制造,具有很低的傳導損耗和開關損耗。使得功率轉換器高功率密度,提高熱行為。
- 高精密氣壓、高度傳感器--HP206C
- HP206C 是高分辨率(0.1meter)壓力傳感器,帶有 I2C 接口,包括一個硅壓阻壓力元件和一個高分辨率 24 位△∑ ADC 。HP206C 提供高精度 24 位壓力和溫度數字輸出,客戶可以根據應用需要轉換速度和高度,所有內置計算采用了高速 4MHz 的浮點運算,計算誤差小,數據補償是內部集成,通訊連接非常簡單,高度及溫度上下限比較的可編程事件及中斷輸出控制。HP206C 傳感器是采用不銹鋼蓋子表面封裝和符合 RoHS 標準 。
POWER MOSFET
MODEL: 4N60-C
一、DESCRIPTION
The UTC 4N60-C is a high voltage power MOSFET and is designed to have better characteristics, such as fast switching time, low gate charge, low on-state resistance and have a high rugged avalanche characteristics. This power MOSFET is usually used at high speed switching applications in power TO-251TO-220F2supplies, PWM motor controls, high efficient DC to DC converters and bridge circuits.
二、FEATURES
* RDS(ON) < 2.5
* Fast Switching Capability
* Avalanche Energy Specified
* Improved dv/dt Capability, high Ruggedness
三、SYMBOL/PACKAGE
四、ORDERING INFORMATION
五、MARKING
六、ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
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